Title :

Development of Atomic Layer Etching (ALEt) for GaN-based materials

Author(s) :

You, Congying [Auteur]
Mannequin, C. [Auteur]
Laboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
Jacopin, G. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Chevolleau, T. [Auteur]
Laboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
Durand, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vallee, C. [Auteur]
Laboratoire des technologies de la microélectronique [LTM ]
Mariette, H. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Sasaki, M. [Auteur]
Gheeraert, E. [Auteur]
Semi-conducteurs à large bande interdite [NEEL - SC2G]

Conference title :

International Workshop on Nitride Semiconductors

City :

Kanazawa

Country :

Japon

Start date of the conference :

2018-11-11

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL