Broadband optoelectronic characterization ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Broadband optoelectronic characterization of THz power detectors
Author(s) :
Oden, Jonathan [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roux, Jean-François [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Yamashita, Masatsugu [Auteur]
Sasaki, Yoshiaki [Auteur]
Otani, Chiko [Auteur]
Artillan, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université Savoie Mont Blanc [USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roux, Jean-François [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Yamashita, Masatsugu [Auteur]
Sasaki, Yoshiaki [Auteur]
Otani, Chiko [Auteur]
Artillan, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université Savoie Mont Blanc [USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Bollaert, Sylvain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
8th THz days
City :
Arêches
Country :
France
Start date of the conference :
2015-03-24
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
English abstract : [en]
This paper describes the characterization of THz power detectors using an optoelectronic broadband source. Information about the frequency is obtained thanks to an interferometric arrangement. Different type of detectors ...
Show more >This paper describes the characterization of THz power detectors using an optoelectronic broadband source. Information about the frequency is obtained thanks to an interferometric arrangement. Different type of detectors have been investigated including thermal sensors and high speed detectors such as Schottky Diode and a nanoelectronic III-V transistor with enhanced frequency response around 300 GHz.Show less >
Show more >This paper describes the characterization of THz power detectors using an optoelectronic broadband source. Information about the frequency is obtained thanks to an interferometric arrangement. Different type of detectors have been investigated including thermal sensors and high speed detectors such as Schottky Diode and a nanoelectronic III-V transistor with enhanced frequency response around 300 GHz.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :