0.69 THz room temperature heterodyne ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes
Auteur(s) :
Daher, Carlos [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Torres, Jeremie [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Térahertz, hyperfréquence et optique [TéHO]
Iñiguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca
Nouvel, Philippe [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Térahertz, hyperfréquence et optique [TéHO]
Varani, Luca [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Térahertz, hyperfréquence et optique [TéHO]
Sangaré, Paul [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mateos, Javier [Auteur]
Universidad de Salamanca
González, And Tomás [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Torres, Jeremie [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Térahertz, hyperfréquence et optique [TéHO]
Iñiguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca
Nouvel, Philippe [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Térahertz, hyperfréquence et optique [TéHO]
Varani, Luca [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Térahertz, hyperfréquence et optique [TéHO]
Sangaré, Paul [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mateos, Javier [Auteur]
Universidad de Salamanca
González, And Tomás [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
Ville :
Salamanca
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2015
Titre de l’ouvrage :
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
Titre de la revue :
Proc. of 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures
Date de publication :
2015
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
GaN-based asymmetric nanodiodes have been used as heterodyne detectors up to 0.69 THz in free-space configuration where Intermediate Frequency bandwidth has been measured up 13 GHz. Monte Carlo simulations, used to estimate ...
Lire la suite >GaN-based asymmetric nanodiodes have been used as heterodyne detectors up to 0.69 THz in free-space configuration where Intermediate Frequency bandwidth has been measured up 13 GHz. Monte Carlo simulations, used to estimate nano-device intrinsic conversion losses of 27 dB have confirmed these results.Lire moins >
Lire la suite >GaN-based asymmetric nanodiodes have been used as heterodyne detectors up to 0.69 THz in free-space configuration where Intermediate Frequency bandwidth has been measured up 13 GHz. Monte Carlo simulations, used to estimate nano-device intrinsic conversion losses of 27 dB have confirmed these results.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://doi.org/10.1088/1742-6596/647/1/012006
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- Daher_2015_J._Phys.__Conf._Ser._647_012006.pdf
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