Title :

Thermal Impedance Extraction From Electrical Measurements for Double-Ended Gate Transistors

Author(s) :

Cutivet, Adrien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Bouchilaoun, Meriem [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Chakroun, Ahmed [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Rodriguez, Christophe [Auteur]
Institut Mondor de Recherche Biomédicale [IMRB]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jaouad, Abdelatif [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Boone, François [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Maher, Hassan [Auteur]
OMMIC
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]

Journal title :

Physica Status Solidi (c)

Pages :

1700225

Publisher :

Wiley

Publication date :

2017-11-14

ISSN :

1610-1634

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

English abstract : [en]

Transistor's thermal impedance is a parameter of prime importance to predict the device peak temperature in applications of power and RF electronics featuring time-dependent dissipated power. In the context of the upcoming ...
Show more >Transistor's thermal impedance is a parameter of prime importance to predict the device peak temperature in applications of power and RF electronics featuring time-dependent dissipated power. In the context of the upcoming GaN HEMT technology, an innovative methodology is hereby detailed for the extraction of a transistor thermal dynamic behavior. This technique uses the dependence of the Gate resistance over temperature and thus only requires common electrical measurement of the device. An original technique is introduced to make this method robust to an inherent electrical coupling effect.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL