Titre :

Self-Equilibration of the Diameter of Ga-Catalyzed GaAs Nanowires

Auteur(s) :

Dubrovskii, V. [Auteur]
Xu, T. [Auteur]
Álvarez, A. Díaz [Auteur]
Plissard, S.R. [Auteur]
Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique [LAAS-MPN]
Caroff, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Glas, F. [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] [C2N]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Nano Letters

Pagination :

5580 - 5584

Éditeur :

American Chemical Society

Date de publication :

2015-08

ISSN :

1530-6984

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Physique Quantique [quant-ph]
Chimie/Cristallographie
Chimie/Matériaux

Résumé en anglais : [en]

Designing strategies to reach monodispersity in fabrication of semiconductor nanowire ensembles is essential for numerous applications. When Ga-catalyzed GaAs nanowire arrays are grown by molecular beam epitaxy with help ...
Lire la suite >Designing strategies to reach monodispersity in fabrication of semiconductor nanowire ensembles is essential for numerous applications. When Ga-catalyzed GaAs nanowire arrays are grown by molecular beam epitaxy with help of droplet-engineering, we observe a significant narrowing of the diameter distribution of the final nanowire array with respect to the size distribution of the initial Ga droplets. Considering that the droplet serves as a nonequilibrium reservoir of a group III metal, we develop a model that demonstrates a self-equilibration effect on the droplet size in self-catalyzed III–V nanowires. This effect leads to arrays of nanowires with a high degree of uniformity regardless of the initial conditions, while the stationary diameter can be further finely tuned by varying the spacing of the array pitch on patterned Si substrates.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL