Low temperature grown GaAs lossy dielectric ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Low temperature grown GaAs lossy dielectric heterostructure FET
Auteur(s) :
Lipka, M. [Auteur]
Splingart, B. [Auteur]
Westphalen, R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, Erhard [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Pond, L.L. [Auteur]
Weitzel, C.E. [Auteur]
Splingart, B. [Auteur]
Westphalen, R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, Erhard [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Pond, L.L. [Auteur]
Weitzel, C.E. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits
Ville :
Ithaca
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
1995
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :