Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.mee.2010.04.022
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/45736
Title :
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
Author(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Boudart, B. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2010-11
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T12:15:12Z