Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.mee.2010.04.022
Title :
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
Author(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Boudart, B. [Auteur]
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg [LUSAC]
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
MICROELECTRONIC ENGINEERING
Pages :
2443 - 2447
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2010-11
ISSN :
0167-9317
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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