A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications
Auteur(s) :
Aguirre-Morales, Jorge-Daniel [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Fregonese, Sébastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Mukherjee, Chhandak [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Wei, Wei [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maneux, Cristell [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Fregonese, Sébastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Mukherjee, Chhandak [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Wei, Wei [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maneux, Cristell [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
4302 - 4309
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2017-10
ISSN :
0018-9383
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :