1 – 20 GHz kΩ -range BiCMOS 55 nm Reflectometer
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
1 – 20 GHz kΩ -range BiCMOS 55 nm Reflectometer
Auteur(s) :
Maris Ferreira, Pietro [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Donche, Cora [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haddadi, Kamel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lasri, Tuami [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quemerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Donche, Cora [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haddadi, Kamel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lasri, Tuami [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quemerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS)
Ville :
Trois-Rivieres, QC
Pays :
Canada
Date de début de la manifestation scientifique :
2014-06-22
Titre de l’ouvrage :
2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS)
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
Scanning m icrowave microscope (SMM) combines the high spatial resolution with the high-sensitivity electric measurement capabilities of a vector network analyzer (VNA). SMM has been pointed out as very well suited for ...
Lire la suite >Scanning m icrowave microscope (SMM) combines the high spatial resolution with the high-sensitivity electric measurement capabilities of a vector network analyzer (VNA). SMM has been pointed out as very well suited for nanodevices characterization. In recent publications, SMM has demonstrated high performance while measuring kΩ-range impedances at low microwave frequency range (1-20 GHz). In spite of exceptional results, interferometry-based systems are so far hardly feasible as an integrated circuit due to physical constraints. In this work, an innovative design of integrated reflectometer based on BiCMOS 55 nm technology from STMicroelectronics is proposed. Electrical simulation results have proved a linear tuner calibration from 0.9 to 1.4 fF with an 8-bits precision (i.e. 2.0 aF). Reflectometer performance has been considered under influence of temperature variation from -55 to 125 °C and process variability. Such results demonstrate a slight influence of temperature variation and process variability in the reflectometer calibration which is negligible for SMM applications.Lire moins >
Lire la suite >Scanning m icrowave microscope (SMM) combines the high spatial resolution with the high-sensitivity electric measurement capabilities of a vector network analyzer (VNA). SMM has been pointed out as very well suited for nanodevices characterization. In recent publications, SMM has demonstrated high performance while measuring kΩ-range impedances at low microwave frequency range (1-20 GHz). In spite of exceptional results, interferometry-based systems are so far hardly feasible as an integrated circuit due to physical constraints. In this work, an innovative design of integrated reflectometer based on BiCMOS 55 nm technology from STMicroelectronics is proposed. Electrical simulation results have proved a linear tuner calibration from 0.9 to 1.4 fF with an 8-bits precision (i.e. 2.0 aF). Reflectometer performance has been considered under influence of temperature variation from -55 to 125 °C and process variability. Such results demonstrate a slight influence of temperature variation and process variability in the reflectometer calibration which is negligible for SMM applications.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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