Titre :

Band offsets at zincblende-wurtzite GaAs nanowire sidewall surfaces

Auteur(s) :

Capiod, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Xu, Tao [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Lymperakis, Liverios [Auteur]
Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH
Neugebauer, J. [Auteur]
Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH
Caroff, Philippe [Auteur]
Dunin-Borkowski, Rafal E [Auteur]
Ebert, Philipp [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

122104-1-4

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2013

ISSN :

0003-6951

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL