Impact of gate length on pulsed IV ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs
Author(s) :
Heuken, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Lecourt, F. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur] refId
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Kalisch, H. [Auteur]
Ketteniss, N. [Auteur]
Conference title :
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9
City :
Glasgow
Country :
Royaume-Uni
Start date of the conference :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL