Title :

Optimization of AlN/GaN double-barrier resonant-tunnelling diode based on the non-equilibrium Green's function formalism

Author(s) :

Boucherit, Mohamed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Farvaque, J.L. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9

City :

Glasgow

Country :

Royaume-Uni

Start date of the conference :

2011-06-10

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL