Strain relaxation at the GaSb/GaAs and ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces
Author(s) :
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Kazzi, S. [Auteur]
Coinon, Christophe [Auteur]
Wang, Y. [Auteur]
Ruterana, P. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Kazzi, S. [Auteur]
Coinon, Christophe [Auteur]
Wang, Y. [Auteur]
Ruterana, P. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Conference title :
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011
City :
Berlin
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2011
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :