Strain relaxation at the GaSb/GaAs and ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces
Auteur(s) :
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
El Kazzi, S. [Auteur]
Coinon, Christophe [Auteur]
Wang, Y. [Auteur]
Ruterana, P. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Titre de la manifestation scientifique :
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011
Ville :
Berlin
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2011
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL