• English
    • français
  • Aide
  •  | 
  • Contact
  •  | 
  • À Propos
  •  | 
  • Ouvrir une session
  • Portail HAL
  •  | 
  • Pages Pro Chercheurs
  • EN
  •  / 
  • FR
Voir le document 
  •   Accueil de LillOA
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • Voir le document
  •   Accueil de LillOA
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • Voir le document
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Orientational and strain dependence of the ...
  • BibTeX
  • CSV
  • Excel
  • RIS

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ULIS.2012.6193354
Titre :
Orientational and strain dependence of the mobility in silicon nanowires
Auteur(s) :
Niquet, Y.M. [Auteur]
Delerue, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rideau, D. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2012
Ville :
Grenoble
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2012
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2012
Date de publication :
2012
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Université de Lille

Mentions légales
Accessibilité : non conforme
Université de Lille © 2017