Improvements of high performance 2-nm-thin ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1063/1.3666669
Titre :
Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
Auteur(s) :
Ostermaier, C. [Auteur]
Pozzovivo, G. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Basnar, B. [Auteur]
Schrenk, W. [Auteur]
Andrews, A.M. [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Toth, L. [Auteur]
Pecz, B. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Strasser, G. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Kuzmik, J. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30
Ville :
Seoul
Pays :
Corée du Sud
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
American Institute of Physics Conference Proceedings, 1399
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL