Contribution à l'étude de techniques de ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Contribution à l'étude de techniques de siliciuration pour les technologies CMOS avancées : impact des contraintes mécaniques et de la ségrégation de dopant sur la hauteur de barrière Schottky
Auteur(s) :
Ravaux, Florent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2012
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :