Title :

Low frequency dielectric loss of metal/insulator/organic semiconductor junctions in ambient conditions

Author(s) :

Ledru, Romuald [Auteur]
Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 [CRESTIC]
Pleutin, Stéphane [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 [CRESTIC]
Grouiez, Bruno [Auteur]
Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 [CRESTIC]
Zander, Damien [Auteur]
Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 [CRESTIC]
Bejbouji, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804 [CRESTIC]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Organic Electronics

Pages :

1916-1924

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2012

ISSN :

1566-1199

English keyword(s) :

Metal-Oxide-Organic semiconductor junctions
dielectric relaxation
anomalous diffusion
admittance spectroscopy

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

English abstract : [en]

The complex admittance of metal/oxide/pentacene thin film junctions is investigated under ambient conditions. At low frequencies, a contribution attributed to proton diffusion through the oxide is seen. This diffusion is ...
Show more >The complex admittance of metal/oxide/pentacene thin film junctions is investigated under ambient conditions. At low frequencies, a contribution attributed to proton diffusion through the oxide is seen. This diffusion is shown to be anomalous and is believed to be also at the origin of the bias stress effect observed in organic field effect transistors. At higher frequencies, two dipolar contributions are evidenced, attributed to defects located one at the organic/oxide interface or within the organic, and the other in the bulk of the oxide. These two dipolar responses show different dynamic properties that manifest themselves in the admittance in the form of a Debye contribution for the defects located in the oxide, and of a Cole-Cole contribution for the defects related to the organicShow less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL