AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS)
Auteur(s) :
Mosbahi, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009
Ville :
Hammamet
Pays :
Tunisie
Date de début de la manifestation scientifique :
2009
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL