TEM studies of PtSi low Schottky-barrier ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors
Auteur(s) :
Laszcz, A. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Central European Journal of Physics
Pagination :
423-427
Éditeur :
Springer Verlag
Date de publication :
2011
ISSN :
1895-1082
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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