One-by-one trap activation in silicon ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
One-by-one trap activation in silicon nanowire transistors
Author(s) :
Clement, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nishiguchi, K. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nishiguchi, K. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Conference title :
9th Japanese/French Workshop on Nanomaterials
City :
Toulouse
Country :
France
Start date of the conference :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :