Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC
Author(s) :
Moreau, E. [Auteur]
Godey, Sylvie [Auteur]
Ferrer, F.J. [Auteur]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, W. [Auteur]
Avila, J. [Auteur]
Asensio, M.C. [Auteur]
Bournel, F. [Auteur]
Gallet, J.J. [Auteur]
Godey, Sylvie [Auteur]
Ferrer, F.J. [Auteur]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, W. [Auteur]
Avila, J. [Auteur]
Asensio, M.C. [Auteur]
Bournel, F. [Auteur]
Gallet, J.J. [Auteur]
Conference title :
Graphene International School
City :
Cargèse
Country :
France
Start date of the conference :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :