Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC
Auteur(s) :
Moreau, E. [Auteur]
Godey, Sylvie [Auteur]
Ferrer, F.J. [Auteur]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, W. [Auteur]
Avila, J. [Auteur]
Asensio, M.C. [Auteur]
Bournel, F. [Auteur]
Gallet, J.J. [Auteur]
Godey, Sylvie [Auteur]
Ferrer, F.J. [Auteur]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, W. [Auteur]
Avila, J. [Auteur]
Asensio, M.C. [Auteur]
Bournel, F. [Auteur]
Gallet, J.J. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Graphene International School
Ville :
Cargèse
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :