Continuous-wave terahertz generation using ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Continuous-wave terahertz generation using a vertically integrated horn antenna photomixer
Auteur(s) :
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Hindle, Francis [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Yang, C. [Auteur]
Mouret, Gaël [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Hindle, Francis [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Yang, C. [Auteur]
Mouret, Gaël [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Titre de la manifestation scientifique :
35th International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2010)
Ville :
Rome
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2010-09-05
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Horn antennas
Photodetectors
Integrated circuit modeling
Electrodes
Photoconducting materials
Gallium arsenide
Photodetectors
Integrated circuit modeling
Electrodes
Photoconducting materials
Gallium arsenide
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Résumé en anglais : [en]
A transverse Electromagnetic Horn Antenna is monolithically integrated with a low-temperature-grown GaAs vertical photoconductor on a silicon substrate forming a vertically integrated photomixer. Continuous-wave terahertz ...
Lire la suite >A transverse Electromagnetic Horn Antenna is monolithically integrated with a low-temperature-grown GaAs vertical photoconductor on a silicon substrate forming a vertically integrated photomixer. Continuous-wave terahertz radiation is generated at frequencies up to 3.5 THz with a power level reaching 20 nW around 3 THz.Lire moins >
Lire la suite >A transverse Electromagnetic Horn Antenna is monolithically integrated with a low-temperature-grown GaAs vertical photoconductor on a silicon substrate forming a vertically integrated photomixer. Continuous-wave terahertz radiation is generated at frequencies up to 3.5 THz with a power level reaching 20 nW around 3 THz.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :