RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate
Author(s) :
Lecourt, F. [Auteur]
Ketteniss, N. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Eickelkamp, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Giesen, C. [Auteur]
Heuken, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ketteniss, N. [Auteur]
Behmenburg, H. [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Eickelkamp, M. [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Giesen, C. [Auteur]
Heuken, M. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Electronics Letters
Pages :
212-214
Publisher :
IET
Publication date :
2011
ISSN :
0013-5194
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :