Conception et réalisation technologique ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Conception et réalisation technologique de transistors de la filière HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour l'amplification de puissance hyperfréquence
Auteur(s) :
Gerbedoen, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2009
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :