Microscopic simulation of electron transport ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Microscopic simulation of electron transport and self-heating effects in InAs nanowire MISFETs
Auteur(s) :
Sadi, T. [Auteur]
Thobel, Jean-Luc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
dessenne, François [Auteur]
Thobel, Jean-Luc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
dessenne, François [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
15th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2010
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Proceedinsg of the 15th International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :