Title :

Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy

Author(s) :

Mosbahi, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]

Journal title :

Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications

Pages :

1783-1785

Publisher :

INOE Publishing House

Publication date :

2010

ISSN :

1842-6573

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL