Tunable room temperature THz emission from ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Author(s) :
Dyakonova, N. [Auteur]
El Fatimy, A. [Auteur]
Meziani, Y. [Auteur]
Otsuji, T. [Auteur]
Coquillat, D. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Teppe, F. [Auteur]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
El Fatimy, A. [Auteur]
Meziani, Y. [Auteur]
Otsuji, T. [Auteur]
Coquillat, D. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Teppe, F. [Auteur]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Conference title :
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010
Country :
Italie
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :