DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2010.5516313
Title :
DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs
Author(s) :
Moschetti, G. [Auteur]
Nilsson, P.A. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rodilla, H. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Grahn, J. [Auteur]
Conference title :
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10
Country :
Japon
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL