Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Title :
Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs : towards sub-100mV electronics
Author(s) :
Roelens, Yannick [Auteur]
Olivier, A. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Noudeviwa, A. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Olivier, A. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Noudeviwa, A. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
68th Device Research Conference, DRC 2010
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 68th Device Research Conference, DRC 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :