100mV noise performances of Te-doped Sb-HEMT
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
100mV noise performances of Te-doped Sb-HEMT
Auteur(s) :
Noudeviwa, A. [Auteur]
Olivier, A. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Waldhoff, N. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Olivier, A. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Waldhoff, N. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010
Pays :
Slovaquie
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :