Title :

High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector

Author(s) :

Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Xu, Z. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Tan, Kianhuan [Auteur]
Loke, Wan Khai [Auteur]
Wicaksono, Satrio [Auteur]
Yoon, Soon [Auteur]
Legrand, Christiane [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]

Journal title :

IEEE Electron Device Letters

Pages :

704-706

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2010

ISSN :

0741-3106

English keyword(s) :

Cutoff frequency
dilute nitride
GaNAsSb
waveguide photodetector (WGPD)

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength ...
Show more >The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength over 1.3 μm is sandwiched by GaAs and AlGaAs cladding layers. The device exhibits a record value of cutoff frequency of 16.5 GHz.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL