One-by-one trap activation in silicon ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
One-by-one trap activation in silicon nanowire transistors
Author(s) :
Clement, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nishiguchi, K. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nishiguchi, K. [Auteur]
Fujiwara, A. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Nature Communications
Pages :
92, 8 pages
Publisher :
Nature Publishing Group
Publication date :
2010-10-19
ISSN :
2041-1723
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
- https://www.nature.com/articles/ncomms1092.pdf
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