Terahertz response of InGaAs field effect ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Terahertz response of InGaAs field effect transistors in quantizing magnetic fields
Auteur(s) :
Klimenko, O.A. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Mityagin, Y.A. [Auteur]
Videlier, H. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N.V. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Consejo, C. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Murzin, V.N. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Mityagin, Y.A. [Auteur]
Videlier, H. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N.V. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Consejo, C. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Murzin, V.N. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
022111
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2010
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. ...
Lire la suite >Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. It allows explaining the dominant physical mechanism responsible for strong oscillations observed in the transistor THz photoresponse. The results indicate also a serious discrepancy between experimental data and existing theoretical model.Lire moins >
Lire la suite >Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. It allows explaining the dominant physical mechanism responsible for strong oscillations observed in the transistor THz photoresponse. The results indicate also a serious discrepancy between experimental data and existing theoretical model.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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