Titre :

Improvement of the RF power performance of nLDMOSFETs on bulk and SOI substrates with 'ribbon' gate and source contacts layouts

Auteur(s) :

Fournier, D. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fontaine, Julien [Auteur]
Scheer, P. [Auteur]
Bon, O. [Auteur]
Rauber, B. [Auteur]
Buczko, M. [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Chevalier, P. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09

Pays :

Espagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2009

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09

Éditeur :

_

Date de publication :

2009

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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