A conventional double-polysilicon FSA-SEG ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
A conventional double-polysilicon FSA-SEG Si/SiGe:C HBT reaching 400 GHz fmax
Auteur(s) :
Chevalier, P. [Auteur]
Pourchon, F. [Auteur]
Lacave, T. [Auteur]
Avenier, G. [Auteur]
Campidelli, Y. [Auteur]
Depoyan, L. [Auteur]
Troillard, G. [Auteur]
Buczko, M. [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Celi, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chantre, A. [Auteur]
Pourchon, F. [Auteur]
Lacave, T. [Auteur]
Avenier, G. [Auteur]
Campidelli, Y. [Auteur]
Depoyan, L. [Auteur]
Troillard, G. [Auteur]
Buczko, M. [Auteur]
Gloria, D. [Auteur]
Celi, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chantre, A. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2009
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009
Éditeur :
_
Date de publication :
2009
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :