Silicon substrate low-temperature-grown ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Silicon substrate low-temperature-grown GaAs terahertz photomixers
Auteur(s) :
Beck, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yang, Chun [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Hindle, Francis [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Mouret, Gaël [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yang, Chun [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Hindle, Francis [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Mouret, Gaël [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Titre de la manifestation scientifique :
34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2009
Ville :
Busan
Pays :
Corée du Sud
Date de début de la manifestation scientifique :
2009-09-21
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2009
Éditeur :
_
Date de publication :
2009
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Silicon
Gallium arsenide
Substrates
Etching
Chemicals
Bonding
Lithography
Optical sensors
Fabrication
Frequency
Gallium arsenide
Substrates
Etching
Chemicals
Bonding
Lithography
Optical sensors
Fabrication
Frequency
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We have developed an epitaxial layer transfer technique for THz devices. Here we report the fabrication and the characterization of a THz photomixer on a silicon substrate. The active part of the photomixer is a ...
Lire la suite >We have developed an epitaxial layer transfer technique for THz devices. Here we report the fabrication and the characterization of a THz photomixer on a silicon substrate. The active part of the photomixer is a low-temperature-grown GaAs mesa which has been transferred and layer bonded onto a Si substrate. The preliminary measurement of the THz signal generated in a photomixing configuration at 0.78 mum shows that the overall performance is comparable to standard GaAs substrate photomixers at frequencies up to 2 THz.Lire moins >
Lire la suite >We have developed an epitaxial layer transfer technique for THz devices. Here we report the fabrication and the characterization of a THz photomixer on a silicon substrate. The active part of the photomixer is a low-temperature-grown GaAs mesa which has been transferred and layer bonded onto a Si substrate. The preliminary measurement of the THz signal generated in a photomixing configuration at 0.78 mum shows that the overall performance is comparable to standard GaAs substrate photomixers at frequencies up to 2 THz.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :