Titre :

Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns

Auteur(s) :

Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Moreno, Jean-Christophe [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, Éric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Benbakhti, Brahim [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cao, Z. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Nguyen, Lee [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tottereau, Olivier [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Materials Science in Semiconductor Processing

Pagination :

16-20

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2009

ISSN :

1369-8001

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Molecular beam epitaxy
Nitrides
Selective area epitaxy

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In this work, we describe the main features of selective area growth (SAG) of GaN by molecular beam epitaxy (MBE) using ammonia. Different schemes such as growth into micrometer and nanometer size windows in Si3N4 dielectric ...
Lire la suite >In this work, we describe the main features of selective area growth (SAG) of GaN by molecular beam epitaxy (MBE) using ammonia. Different schemes such as growth into micrometer and nanometer size windows in Si3N4 dielectric masks and mesa structures etched on GaN or Silicon substrate are studied.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL