InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess
Auteur(s) :
Alomari, M. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Chuvilin, A. [Auteur]
Kaiser, U. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, E. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Chuvilin, A. [Auteur]
Kaiser, U. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
1131-1133
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2009
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :