12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1109/LED.2009.2014791
Titre :
12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET
Auteur(s) :
Vandenbrouck, S. [Auteur]
Madjour, K. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur] refId
Dong, Y.J. [Auteur]
Li, Y. [Auteur]
Lieber, C.M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
322-324
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2009
ISSN :
0741-3106
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL