Titre :

AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates

Auteur(s) :

Defrance, Nicolas [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Rousseau, Michel [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Thorpe, J. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

596-598

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2009

ISSN :

0741-3106

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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