High thermally induced index variations ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
High thermally induced index variations with short response time in InP/GaInAsP/InP waveguide Schottky diodes
Author(s) :
Saadsaoud, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
Journal title :
Electronics Letters
Pages :
802-803
Publisher :
IET
Publication date :
2009
ISSN :
0013-5194
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Thermally induced index variations as high as 0.1 were recorded in InP/GaAsInP1.15/InP waveguide Schottky diodes for 1W/mm electrical power per electrode length. Pulse response characterisation showed almost 700ns response ...
Show more >Thermally induced index variations as high as 0.1 were recorded in InP/GaAsInP1.15/InP waveguide Schottky diodes for 1W/mm electrical power per electrode length. Pulse response characterisation showed almost 700ns response time for 1s square pulses under forward biased conditions (I=20mA, V=300mV).Show less >
Show more >Thermally induced index variations as high as 0.1 were recorded in InP/GaAsInP1.15/InP waveguide Schottky diodes for 1W/mm electrical power per electrode length. Pulse response characterisation showed almost 700ns response time for 1s square pulses under forward biased conditions (I=20mA, V=300mV).Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :