Titre :

UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET

Auteur(s) :

Yarekha, Dmytro [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Breil, N. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Soyer, Caroline [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Remiens, Denis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Reckinger, N. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Tang, Xing [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Laszcz, A. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Halimaoui, A. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Titre de la revue :

ECS Transactions

Pagination :

339-344

Éditeur :

Electrochemical Society, Inc.

Date de publication :

2009

ISSN :

1938-5862

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL