Arsenic-segregated rare earth silicide ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Arsenic-segregated rare earth silicide junctions : reduction of Schottky barrier and integration in metallic n-MOSFETs on SOI
Author(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Fainot, O. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Fainot, O. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
1266-1268
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2009
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :