AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
Auteur(s) :
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mattalah, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Moreau, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Thevenin, P. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mattalah, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Moreau, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Thevenin, P. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Diamond and Related Materials
Pagination :
1039 - 1042
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2009
ISSN :
0925-9635
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Gate dielectric
HBN thin film
HEMTs
MISHEMTs
HBN thin film
HEMTs
MISHEMTs
Discipline(s) HAL :
Chimie/Matériaux
Résumé en anglais : [en]
Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by ...
Lire la suite >Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by MW-PECVD, is an insulator permitting to obtain a low leakage current gate, an interface state density as low as 5 × 1011 cm<sup>−2 </sup> eV<sup>−1</sup> for hBN/AlGaN interface and low roughness surface less than 0.4 nm. HBN thin film is deposited to have optical c-axis oriented weakly tilted to the perpendicular at the AlGaN barrier surface and to increase the lateral electrical resistivity. DC measurement on MISHEMT exhibits promising performance for microwave power devices associated to a good gate charge control in enhancement mode.Lire moins >
Lire la suite >Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by MW-PECVD, is an insulator permitting to obtain a low leakage current gate, an interface state density as low as 5 × 1011 cm<sup>−2 </sup> eV<sup>−1</sup> for hBN/AlGaN interface and low roughness surface less than 0.4 nm. HBN thin film is deposited to have optical c-axis oriented weakly tilted to the perpendicular at the AlGaN barrier surface and to increase the lateral electrical resistivity. DC measurement on MISHEMT exhibits promising performance for microwave power devices associated to a good gate charge control in enhancement mode.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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