Growth and characterization of AlInN/GaN ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors
Auteur(s) :
Carlin, J.F. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7
Ville :
Las Vegas, NV
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL