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  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
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Impact of buffer doping on GaN device performance
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  • Excel
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Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Impact of buffer doping on GaN device performance
Auteur(s) :
Uren, M. [Auteur]
Hayes, D.G. [Auteur]
Wallis, D.J. [Auteur]
Hilton, K.P. [Auteur]
Maclean, J.O. [Auteur]
Hydes, A.J. [Auteur]
Simons, A. [Auteur]
Munday, A.G. [Auteur]
Martin, T. [Auteur]
Roff, C. [Auteur]
Mac Govern, P. [Auteur]
Benedikt, J. [Auteur]
Tasker, P.J. [Auteur]
Kuball, M. [Auteur]
Sarua, A. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Caillas, N. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
ESA/DGA Workshop
Ville :
Noordwijk
Pays :
Pays-Bas
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
_
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Université de Lille

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