Thermal beheviours of AlGaN/GaN HEMT devices
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Thermal beheviours of AlGaN/GaN HEMT devices
Auteur(s) :
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Morvan, Erwan [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Dua, Charu [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Morvan, Erwan [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Dua, Charu [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Titre de la manifestation scientifique :
ESA/DGA Workshop
Ville :
Noordwijk
Pays :
Pays-Bas
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
_
Date de publication :
2007
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :